Effiziente Verbindungen für Hochleistungsmodule

In der Leistungselektronik werden zunehmend Hochleistungsmodule wie IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistor) oder IPMs (Intelligend Power Modul) mit Hilfe des Ultraschallschweißens hergestellt. Das Ultraschallschweißen der Laststrom- und Steueranschlüsse bietet hier, gegenüber dem konventionellen Löten, volle Prozess- und Qualitätsüberwachung. Bei Zuverlässigkeitstests können ultraschallgeschweißte Leistungsmodule etwa bis zur zehnfachen Standzeit erreichen. Die stoffschlüssige Verbindung führt an den Kontaktstellen zu einer deutlich verringerten Verlustleistung, wodurch der elektrische Wirkungsgrad des Moduls erhöht und der Aufwand zur Kühlung minimiert wird.